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定义：

IGBT中文名为绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,结合了MOSFET的高电流单栅控制特性和BJT的低饱和电压能力。

IGBT按封装划分可以分为单管分立器件、IGBT模块和IPM。通常市场上讲的IGBT指的是IGBT模块。

特点：

IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU”，具有高压、大电流、高速三大特点，被广泛应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。其中新能源汽车为IGBT核心应用场景, IGBT模块占电动汽车成本将近10%，占充电桩成本约20%。

发展趋势：

一、IGBT器件将向着沟槽栅结构、精细化图形、载流子注入增强调制以及薄片化的加工工艺方向继续发展

二、IGBT模块技术将围绕芯片背面焊接固定与正面电极互连两方面同时改进，并同先进封装技术结合。另外，更多的集成同样也是IGBT的发展方向，以降低产品尺寸并在模块内集成更多其他功能元件。