方案
移动设备需要高功率密度、充电快的充电器,高功率密度电源可以通过提高开关频率来设计,以避免变压器和输出电容尺寸的显著增加。为了实现热性能,功率器件需要有更低的损耗,同时满足所有电磁干扰要求。中芯创MOSFET支持USB-PD(电源传输)要求,完全满足最新的USB-C Power Delivery标准。
框图

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Product |
Channel Polarity |
Data Sheet |
Vds (V) |
Vgs (±V) |
Id (A) |
Rds (mΩ) |
Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VSAD032P80 |
P |
-40 |
20 |
-3.2 |
80 |
SOT23 |
|
VSAC057N26 |
N |
30 |
12 |
5.7 |
26 |
SOT23 |
|
VSAC04P48 |
P |
-30 |
12 |
-4 |
48 |
SOT23 |
|
VSAC043P48 |
P |
-30 |
20 |
-4.3 |
48 |
SOT23 |
|
VSAB049P0 |
P |
-20 |
12 |
-4.9 |
- |
SOT23 |
|
VSAC043P45 |
P |
-30 |
20 |
-4.3 |
45 |
SOT23 |